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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
11.8
16.4
写入速度,GB/s
8.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2978
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
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