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Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

総合得点
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Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 44
    周辺 20% 低遅延
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 4.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 44
  • 読み出し速度、GB/s
    8.4 left arrow 12.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.5 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1310 left arrow 1977

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