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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
総合得点
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
総合得点
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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考慮すべき理由
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
42
周辺 -56% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.8
12
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
27
読み出し速度、GB/s
12.0
12.8
書き込み速度、GB/秒
7.2
8.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1933
2148
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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