RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
2148
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link