RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
バグを報告する
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 44
    周辺 -19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.5 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    11.5 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.7 left arrow 13.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1927 left arrow 3075

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB RAMの比較

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
メモリRAM
Corsair VS2GB800D2 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Corsair VS2GSDS800D2 2GB
Corsair VS2GSDS800D2 2GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
メモリRAM