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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
比較する
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
総合得点
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
総合得点
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12
9.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
45
周辺 -22% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
37
読み出し速度、GB/s
12.0
9.9
書き込み速度、GB/秒
7.8
12.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2572
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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