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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
9.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
45
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
37
读取速度,GB/s
12.0
9.9
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2572
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
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