RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 45
    周辺 -73% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.4 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 3648

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAMの比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB RAMの比較

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
メモリRAM