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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 45
    左右 -73% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.4 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.3 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 3648

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较

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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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