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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
39
读取速度,GB/s
11.4
19.5
写入速度,GB/s
7.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3825
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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