RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 101
    周辺 55% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 6.7
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 12
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 101
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 12.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 6.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 1382

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAMの比較

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
メモリRAM
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
メモリRAM