RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
101
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
12
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
101
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
1382
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link