Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

総合得点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

34 45

周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.7 12

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.6 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

45 34
読み出し速度、GB/s

12.0 15.7
書き込み速度、GB/秒

7.8 11.6
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1939 2776

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB

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