RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
45
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2776
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link