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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

総合得点
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 45
    周辺 -50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 12800
    周辺 1.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 2709

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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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