RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2709
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link