RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
54
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2451
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link