RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
54
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2451
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link