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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
54
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
38
读取速度,GB/s
9.2
14.2
写入速度,GB/s
8.1
9.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2451
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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