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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.4
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
37
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
22
读取速度,GB/s
11.4
13.6
写入速度,GB/s
7.4
6.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2120
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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