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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB

総合得点
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
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Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB

Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 5.5
    テスト平均値
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 45
    周辺 -80% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 10.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 5.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 2034

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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
メモリRAM
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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