RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Kingston 9905703-008.A00G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905703-008.A00G 16GB

Kingston 9905703-008.A00G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
バグを報告する
Kingston 9905703-008.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 44
    周辺 -29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.3 left arrow 13
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    13.0 left arrow 16.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2069 left arrow 2978

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Kingston 9905703-008.A00G 16GB RAMの比較

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
メモリRAM
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
メモリRAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
メモリRAM