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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
総合得点
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
45
周辺 -18% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.7
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.4
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
38
読み出し速度、GB/s
12.3
13.7
書き込み速度、GB/秒
8.0
9.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1992
2471
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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