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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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规格
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.3
13.7
写入速度,GB/s
8.0
9.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2471
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
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