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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
総合得点
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
45
周辺 -55% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
29
読み出し速度、GB/s
12.3
15.5
書き込み速度、GB/秒
8.0
12.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1992
3091
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
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