RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
45
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3091
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
UMAX Technology 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link