RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link