RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2373
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link