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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
総合得点
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
総合得点
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
45
周辺 -41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
32
読み出し速度、GB/s
12.3
16.1
書き込み速度、GB/秒
8.0
12.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1992
2968
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
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