RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2968
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link