RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 57
    周辺 21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 57
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 9.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 2233

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
メモリRAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
メモリRAM