RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
57
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
57
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2233
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link