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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

総合得点
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 45
    周辺 -5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 14.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 2867

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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
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Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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