Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 45

Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.3 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 43
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 14.0
Скорость записи, Гб/сек

8.0 12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1992 2867

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Kingston 9905713-004.A00G 4GB

Kingston 9905713-004.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

модули RAM