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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

総合得点
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB 考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 48
    周辺 -30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.4 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    8.9 left arrow 21.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1420 left arrow 3448

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Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
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