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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
48
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
37
读取速度,GB/s
8.9
21.4
写入速度,GB/s
5.9
14.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3448
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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