RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

总分
star star star star star
AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

总分
star star star star star
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

差异 规格 评论

差异

AMD AE34G1601U1 4GB 需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
报告一个错误
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB 需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    64 left arrow 67
    左右 -5% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.5 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.3 left arrow 3.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    67 left arrow 64
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 17.5
  • 写入速度，GB/s
    3.6 left arrow 9.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    998 left arrow 2205

AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较

Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
内存RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
内存RAM