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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
総合得点
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
48
周辺 -30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
8.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
48
37
読み出し速度、GB/s
8.9
15.4
書き込み速度、GB/秒
5.9
12.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1420
2356
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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