RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
48
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
37
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2356
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link