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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs INTENSO 4GB
総合得点
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
INTENSO 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
INTENSO 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
48
周辺 -33% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.1
8.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.3
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
48
36
読み出し速度、GB/s
8.9
12.1
書き込み速度、GB/秒
5.9
9.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1420
2061
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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