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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs INTENSO 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
INTENSO 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
48
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
36
读取速度,GB/s
8.9
12.1
写入速度,GB/s
5.9
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2061
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
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