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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

総合得点
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 47
    周辺 -81% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    23.1 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    19.0 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    9.3 left arrow 23.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 19.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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