RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
4276
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link