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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

総合得点
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 47
    周辺 -57% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    9.3 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1413 left arrow 3255

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Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston 9905711-017.A00G 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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