RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
47
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3255
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link