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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
比較する
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
総合得点
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
総合得点
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.9
7.1
テスト平均値
考慮すべき理由
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
40
周辺 -43% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.5
12.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
28
読み出し速度、GB/s
12.3
14.5
書き込み速度、GB/秒
8.9
7.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1789
1762
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
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