RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
比較する
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
総合得点
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
総合得点
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
40
周辺 -5% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.5
8.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
38
読み出し速度、GB/s
12.3
14.3
書き込み速度、GB/秒
8.9
11.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1789
2988
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAMの比較
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link