RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
バグを報告する
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 40
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1789 left arrow 3373

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAMの比較

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
メモリRAM