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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

総合得点
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 40
    周辺 -82% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1789 left arrow 2748

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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