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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
総合得点
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
40
周辺 -29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
8.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
31
読み出し速度、GB/s
12.3
16.9
書き込み速度、GB/秒
8.9
12.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1789
2577
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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